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德国SGLUX 紫外光电二极管 - SG01L系列

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1. 采用碳化硅（SiC）材料

2. 宽频段（UVA+UVB+UVC）

3. 有效探测区域1.0mm2

4. 10uW/cm2峰值辐射照度产生约13nA电流

5. 芯片高度稳定性（通过德国PTB认证）

产品型号：: SG01L系列

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产品介绍

紫外光电二极管SG01L系列特性：

1. 采用碳化硅（SiC）材料

2. 宽频段（UVA+UVB+UVC）

3. 有效探测区域1.0mm2

4. 10uW/cm2峰值辐射照度产生约13nA电流

5. 芯片高度稳定性（通过德国PTB认证）

关于碳化硅材料（SiC）：

SiC可承受极端辐射硬度，可见盲区，低暗电流，高速响应和低噪音的属性；这些功能使SiC成为可见盲区紫外探测器的很好使用材料。SiC探测器可以工作在高达170℃的温度中，信号（响应率）的温度系数也很低，<0.1%/K。由于（fA级别的暗电流）噪音低，很低的紫外线辐射强度也可以可靠地测量，（需要适当的放大器）。

SiC光电二极管可作为未滤波的宽带探测设备或带有光学滤波器，提供对UVA、UVB、UVC波段的响应。

紫外光电二极管SG01L系列技术参数:

型号	SG01L-18	SG01L-18S	SG01L-18ISO90	SG01L-5	SG01L-5ISO90
响应率	0.13A/W	0.13A/W	0.13A/W	0.13A/W	0.13A/W
波长典型值	280nm	280nm	280nm	280nm	280nm
波长范围（S=0.1*Smax）	221-358nm	221-358nm	221-358nm	221-358nm	221-358nm
可见盲区（Smax/S>405nm）	>1010	>1010	>1010	>1010	>1010
有效探测区域	1.0mm2	1.0mm2	1.0mm2	1.0mm2	1.0mm2
暗电流（1V反向偏压）	3.3fA	3.3fA	3.3fA	3.3fA	3.3fA
电容	250pF	250pF	250pF	250pF	250pF
短路电流（10uW/cm2峰值辐射照度）	约13nA	约13nA	约13nA	约13nA	约13nA
温度系数	<0.1%/K	<0.1%/K	<0.1%/K	<0.1%/K	<0.1%/K
操作温度	-55～+170℃	-55～+170℃	-55～+170℃	-55～+170℃	-55～+170℃
储存温度	-55～+170℃	-55～+170℃	-55～+170℃	-55～+170℃	-55～+170℃
焊接温度（3S）	260℃	260℃	260℃	260℃	260℃
反向电压VRmax	20V	20V	20V	20V	20V
物理特性	采用T018金属外壳密封，1针脚绝缘，1针脚接地	采用T018金属外壳密封，带小盖帽，1针脚绝缘，1针脚接地	采用T018金属外壳密封，2针脚绝缘，1针脚接地	采用T05金属外壳密封，带小盖帽，1针脚绝缘，1针脚接地	采用T05金属外壳密封，带小盖帽，2针脚绝缘，1针脚接地