德国SGLUX 紫外光电二极管 - SG01D–5LENS
产品介绍
德国SGLUX 紫外光电二极管 SG01D–5LENS 描述 关于材料碳化硅(SiC)
SiC具有独特的特性,能承受高强度的辐射,对可见光几乎不敏感,产生的暗电流低,响应速度快和噪音低。这些特性使SiC成为可见盲区半导体紫外探测器的很好使用材料。SiC探测器可以一直工作于高达170°C (338°F)的温度中。信号(响应率)的温度系数也很低,< 0,1%/K。由于噪音低(fA级的暗电流), 能够有效地检测到很低的紫外辐射强度。请注意这个装置需要配置相应的放大器。(参见第3页中的典型电路)。
德国SGLUX 紫外光电二极管 SG01D–5LENS 选项
SiC光电二极管有七个不同的有效敏感面积可供选择,从0.06 mm2 到36 mm2。标准版本是宽频UVA-UVB-UVC。
四个滤波版本导致更严格的感光范围。所有光电二极管都有密封的金属外壳(TO型),直径为5.5mm的TO18 外壳或9.2mm 的TO5外壳。进一步的选项是2只引脚(1绝缘,1接地)或3只引脚(2绝缘,1接地)。
德国SGLUX 紫外光电二极管 SG01D–5LENS 特点
宽频UVA+UVB+UVC, PTB报道的芯片高稳定性, 用于火焰检测
辐射敏感面积 A = 11,0 mm2TO5密封金属外壳和聚光镜, 1绝缘引脚和1接地引脚
10µW/cm2 峰值辐射约产生350 nA电流
德国SGLUX 紫外光电二极管 SG01D–5LENS 参数
参数 |
符号 |
数值 |
单位 |
光谱特性 |
|||
峰值波长处的典型响应度 |
S |
0,130 |
aw |
光谱响应度的波长 |
Λ |
280 |
nm |
响应波长范围(S=0,1*Smax) |
- |
221-358 |
nm |
可见盲区(Smax/S>405nm) |
VB |
> 1010 |
- |
一般特性(T=25°C) |
|||
敏感面积(芯片尺寸= 0,50 mm2) |
A |
11,0 |
mm2 |
暗电流(1V反向偏压) |
Id |
1,7 |
fa |
电容 |
C |
125 |
pF |
短路(10µW/cm2 峰值处) |
Io |
350 |
nA |
温度系数 |
Tc |
< 0,1 |
%/K |
额定值 |
|||
工作温度 |
Topt |
-55...+170 |
°C |
储存温度 |
Tstor |
–55 … +170 |
°C |
焊接温度(3s) |
Tsold |
260 |
°C |
反向电压 |
VRmax |
20 |
V |
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