中高压MOS管 - MPD04N65

产品介绍

不同的封装尺寸MOS管具有不同的热阻和耗散功率，需要考虑系统的散热条件和环境温度（如是否有风冷、散热器的形状和大小限制、环境是否封闭等因素），基本原则就是：在保证功率MOS管的温升和系统效率的前提下，选取参数和封装更通用的功率MOS管。

一、中高压MOS管 - MPD04N65的特性：

650V, 4A, RDS (ON)(Max.)= 2.7Ω@VGS = 10V.

低Crss
快速交换
100%雪崩测试

二、中高压MOS管 - MPD04N65的应用：

充电器

储用功率