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德国SGLUX 紫外光电二极管 - SG01S-A18

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1. 采用碳化硅（SiC）材料
2. 适用于UVA频段
3. 有效探测区域0.06mm2
4. 10mW/cm2峰值辐射照度产生约222nA电流
5. 芯片高度稳定性（通过德国PTB认证

产品型号：: SG01S-A18

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产品介绍

碳化硅紫外光电二极管SG01S-A18特性：

1. 采用碳化硅（SiC）材料

2. 适用于UVA频段

3. 有效探测区域0.06mm2

4. 10mW/cm2峰值辐射照度产生约222nA电流

5. 芯片高度稳定性（通过德国PTB认证）

关于碳化硅材料（SiC）：

SiC可承受极端辐射硬度，近乎完美的可见盲区，低暗电流，高速响应和低噪音的特别属性；这些功能使SiC成为可见盲区紫外探测器的最佳使用材料。SiC探测器可以长期工作在高达170℃的温度中，信号（响应率）的温度系数也很低，<0.1%/K。由于（fA级别的暗电流）噪音低，很低的紫外线辐射强度也可以可靠地测量，（需要适当的放大器）。

SiC光电二极管可作为未滤波的宽带探测设备或带有光学滤波器，提供对UVA、UVB、UVC波段的响应。

碳化硅紫外光电二极管SG01S-A18技术参数:

型号	SG01S-A18
光谱特性
响应率	0.037A/W
波长典型值	331nm
波长范围（S=0.1*Smax）	309-367nm
可见盲区（Smax/S>405nm）	>1010
一般特性（25℃）
有效探测区域	0.06mm2
暗电流（1V反向偏压）	0.2fA
电容	15pF
短路电流（10mW/cm2峰值辐射照度）	约222nA
温度系数	<0.1%/K
额定值
操作温度	-55～+170℃
储存温度	-55～+170℃
焊接温度（3S）	260℃
反向电压VRmax	20V
物理特性	采用T018金属外壳密封，1针脚绝缘，1针脚接地