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德国SGLUX 紫外光电二极管 - SG01S-B18

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1、采用碳化硅（SiC）材料
2、仅适用于UVB波段
3、光敏区域面积0.2mm2
4、10wW/cm2峰值辐射强度照射下产生约2500nA电流
5、芯片高度稳定性（通过德国PTB认证）

产品型号：: SG01S-B18

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产品介绍

一、紫外光电二极管SG01S-B18特性：

1、采用碳化硅（SiC）材料

2、仅适用于UVB波段

3、光敏区域面积0.2mm2

4、10wW/cm2峰值辐射强度照射下产生约2500nA电流

5、芯片高度稳定性（通过德国PTB认证）

二、紫外光电二极管SG01S-B18关于碳化硅材料（SiC）：

SiC具有极其特别的优点，能承受高强度的辐射，对可见光几乎不敏感，产生的暗电流低，响应速度快，这些特性使得SiC成为能够抑制可见光用来制作半导体紫外线探测器很好的材料。SiC探测器可以长期工作在高达170℃的温度中，温度系数低（<0.1%/K）并且噪音低，能够有效的监测到很低的辐射强度（需配置相应的放大器）

三、紫外光电二极管SG01S-B18技术参数:

型号	SG01S-B18
光谱特性
灵敏度	0.125A/W
波长典型值	280nm
波长范围（S=0.1*Smax）	231-309nm
可见光抑制比（Smax/S>405nm）	>1010
一般特性（25℃）
光敏区域面积	0.06mm2
暗电流（1V反向偏压）	0.2fA
电容	15pF
短路电流（10mW/cm2峰值辐射强度）	约750nA
温度系数	<0.1%/K
额定值
操作温度	-55～+170℃
储存温度	-55～+170℃
焊接温度（3S）	260℃
反向电压VRmax	20V
物理特性	采用TO18金属外壳密封，1引脚绝缘，1引脚接地